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用于以X射线为基础的计量学的晶片倾斜的测量及控制

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本文描述用于测量晶片在X射线散射测量位置处或X射线散射测量位置附近的定向的方法及系统。在一个方面中，一种以X射线散射测量为基础的计量系统包含在没有中介载台移动的情况下基于单个测量来测量晶片定向的晶片定向测量系统。在一些实施例中，定向测量点与X射线测量点重合。在一些实施例中，同时执行X射线散射测量及晶片定向测量。在另一方面中，由晶片定向测量系统检测的信号经时间、空间或时间及空间过滤以改进追踪。在另一方面中，晶片定向测量系统经校准以识别所述晶片相对于入射X射线束的定向。在另一方面中，受测量晶片依封闭回路或开放回路方式基于所述测量定向定位。

著录项

公开/公告号CN115151787A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-04

原文格式PDF
申请/专利权人科磊股份有限公司;
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申请/专利号CN202180015920.9
发明设计人 B·布拉森海姆;J·A·迪雷戈洛;张岩;R·普雷斯;H·阮;
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申请日2021-02-17
分类号G01B15/04;H01L21/66;G01N23/00;
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人刘丽楠
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 17:02:55

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法律状态
2022-10-04

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