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公开/公告号CN115176391A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-11
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN202180017050.9
发明设计人 陶耿名;杨斌;李夏;
申请日2021-02-25
分类号H01S5/02;H01S5/12;H01S5/026;H01S5/042;H01S5/125;H01S5/34;
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人张宁
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 17:04:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-11
公开
国际专利申请公布
机译: 在硅和集成器件上的分布式反馈(DFB)激光,包括在硅上的DFB激光器
机译: 一种制造多波长分布式反馈(DFB)激光器阵列的方法,该阵列包括在通过选择性区域外延生长而生长的量子阱层上具有不同厚度的激光单元的顶部分离的限制层
机译: 通过在具有多个过度生长的图案化基板上生长而制造的水平发射,垂直发射,光束形,分布式反馈(DFB)激光器
机译:硅上的电子可调分布式反馈(DFB)激光器
机译:硅上电子调谐分布式反馈(DFB)激光器
机译:演示可离散调谐的硅上III-V采样光栅DFB激光器
机译:硅衬底上具有20 µm长的DFB截面和前/后DBR的膜分布式反射激光器
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:亚毫米长掺composite复合硅波导DFB激光器的潜力
机译:在硅上异质集成基于Inp的II型DFB激光器阵列
机译:硅上III-V半导体量子阱激光器及相关光电器件。