首页> 中国专利> 硅上分布式反馈(DFB)激光器和包括硅上DFB激光器的集成器件

硅上分布式反馈(DFB)激光器和包括硅上DFB激光器的集成器件

摘要

一种分布式反馈(DFB)激光器,包括具有第一表面和第二表面的衬底,其中该衬底包括硅;位于衬底的第二表面上方的多个浅沟槽隔离(STIs);位于多个STIs和衬底上方的光栅区域,其中光栅区域包括III‑V半导体材料;位于光栅区域上方的非有意掺杂(NID)区域;以及位于NID区域上方的接触区域。

著录项

  • 公开/公告号CN115176391A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-10-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN202180017050.9

  • 发明设计人 陶耿名;杨斌;李夏;

    申请日2021-02-25

  • 分类号H01S5/02;H01S5/12;H01S5/026;H01S5/042;H01S5/125;H01S5/34;

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人张宁

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 17:04:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-11

    公开

    国际专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号