公开/公告号CN115207280A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;
申请/专利号CN202210878289.1
申请日2022-07-25
分类号H01M4/131;H01M4/133;H01M4/48;H01M4/50;H01M4/52;H01M4/587;H01M4/66;H01M4/75;H01M10/0525;
代理机构上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);
代理人曹芳玲;郑优丽
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2023-06-19 17:14:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-18
公开
发明专利申请公布
机译: 具有互补金属氧化物半导体(CMOS)数据路径和双极性电流放大的双极性互补金属氧化物半导体(BICMOS)输出缓冲电路
机译: 双极性膜的双极性膜的制造方法以及碱金属氢氧化物的水溶液的制造方法。
机译: 基于稀土金属的聚合活性,非桥联的单核双烷基金属半夹心络合物,及其用作极性和非极性烯属不饱和单体(共)聚合的催化剂