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Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法

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本发明公开了一种Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括半导体Si衬底，半导体Si衬底上设有P型重掺杂半导体Ge的源区、N型重掺杂半导体Si的漏区和设于源区与漏区之间的STI氧化层；源区和漏区之间设有N型轻掺杂半导体Si的沟道区域和N型重掺杂半导体Si的Pocket区域，源区侧部设有嵌入到Pocket区域的半导体Ge凸起，嵌入的凸起形成Ge/Si异质结结构；沟道区域和Pocket区域之间设有异质栅电极，异质栅电极的侧部设有侧墙区，沟道区域和Pocket区域的表面设有栅介质层。本发明晶体管具有更高的开态电流、更陡峭的亚阈值摆幅斜率、更强的栅控能力、优秀的射频特性，同时能够抑制双极性电流，改善隧穿场效应晶体管亚阈值特性。

著录项

公开/公告号CN115360232A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-18

原文格式PDF
申请/专利权人南京信息工程大学;
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申请/专利号CN202211018417.1
发明设计人赵见国;索博研;徐儒;常建华;
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申请日2022-08-24
分类号H01L29/10;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/80;H01L21/337;
代理机构南京纵横知识产权代理有限公司;
代理人孙永生
地址 224002 江苏省盐城市盐南高新区新河街道文港南路105号
入库时间 2023-06-19 17:38:41

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法律状态
2022-11-18

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