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一种磁性隧道结和磁性隧道结传感器

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本发明实施例提供一种磁性隧道结和磁性隧道结传感器，属于传感器技术领域。所述磁性隧道结包括：依次层叠设置的第一电极层、第一磁性层、隧穿势垒层、第二磁性层和第二电极层；其中，所述隧穿势垒层的材料与所述第一磁性层和所述第二磁性层的材料的晶格失配度低于1％。通过本发明实施例，可以减少磁性层和势垒层之间的界面位错和势垒缺陷，增加磁性隧道结的TMR值，提高磁性隧道结的灵敏度以及温度的稳定性。

著录项

公开/公告号CN115436848A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-12-06

原文格式PDF
申请/专利权人北京智芯微电子科技有限公司;国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心);
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申请/专利号CN202211067437.8
发明设计人李良;庞振江;刘国营;李延;白鹏飞;杜君;孙恒超;王海宝;周娴姊;闻志国;董贤光;刘娜;李岩;王宪刚;张冠军;孙艳玲;
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申请日2022-09-01
分类号G01R33/09;
代理机构北京润平知识产权代理有限公司;
代理人肖冰滨
地址 100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
入库时间 2023-06-19 17:51:41

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2022-12-06

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