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一种约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结

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摘要

本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结，应用于量子芯片技术领域，掩膜形成有第一通道与第二通道，第二通道的一端与第一通道相重合，形成有三端通道；沿第一蒸镀方向在第一通道中远离蒸发源一侧形成条状的第一超导层；第一蒸镀方向与衬底表面法线形成夹角，第一蒸镀方向使第一超导层仅在第一通道内设置；沿第二蒸镀方向在第二通道中设置第二超导层，在第一通道与第二通道重合的区域形成约瑟夫森结；第二蒸镀方向在水平方向的分量与第二通道的轴线平行；第二蒸镀方向使第二超导层仅在第二通道内设置。该约瑟夫森结的面积受到第一蒸镀方向的调控，从而可以灵活调整约瑟夫森结的面积。

著录项

  • 公开/公告号CN115768245A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023-03-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 量子科技长三角产业创新中心;

    申请/专利号CN202310032246.6

  • 发明设计人 郑伟文;栾添;周慧德;范博;

    申请日2023-01-10

  • 分类号H10N60/01;H10N60/12;C23C14/04;C23C14/22;

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人张珊珊

  • 地址 215000 江苏省苏州市相城区青龙港路286号长三角国际研发社区启动区9C座101

  • 入库时间 2023-06-19 18:44:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-07

    公开

    发明专利申请公布

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