退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN115833631A
专利类型发明专利
公开/公告日2023-03-21
原文格式PDF
申请/专利权人 国网陕西省电力有限公司咸阳供电公司;
申请/专利号CN202211452737.8
发明设计人 赵航;李鹏;许知博;张杰;蔡彬;李小卫;刘露莎;张含芝;陈鑫泽;杨磊;
申请日2022-11-21
分类号H02M7/23;H02M1/12;
代理机构西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人强宏超
地址 712000 陕西省咸阳市秦都区西兰路30号
入库时间 2023-06-19 18:56:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-21
公开
发明专利申请公布
机译: SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法和SiC功率半导体器件的制造方法
机译: SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法及SiC功率半导体器件的制造方法
机译: SiC外延晶片,SiC外延晶片的制造方法,SiC器件和功率转换器件
机译:一种用于4H-SiC和6H-SiC功率双极器件的外延层的新颖设计方法
机译:基于4H-SiC的下一代功率器件的工业方法
机译:基于商业仿真器的取向不正确的(0001)基板上形成的4H-SiC功率器件的数值分析方法
机译:采用SiC功率器件的380 V DC配电系统更高密度整流器的新方法
机译:基于带有15kV SiC功率器件的三相DAB转换器的双向DC-DC隔离器实现MVDC电网。
机译:第三本书:医疗领域的科研应用:动态心电图—一种基于自上而下的结构设计的新系统方法
机译:一种基于拓扑结构设计小型化双阻带FSS的方法
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长