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测量γ/X辐射场强度的方法及电流型半导体探测结构

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摘要

本发明涉及测量γ/X辐射场强度的方法及电流型半导体探测结构，有以下步骤：1）用杂散电子过滤片过滤γ/X射线与探测器周围物质作用产生的杂散电子；所述杂散电子过滤片为低原子序数绝缘介质材料；2）用电流型半导体探测器测量从杂散电子过滤片穿出的电子束和γ/X射线，记录电流型半导体探测器的输出电流；3）根据电流型半导体探测器的输出电流和探测器的电流灵敏度计算确定γ/X辐射场强度。本发明解决了现有技术中半导体探测器在电流工作模式下不能准确刻度其辐射灵敏度，从而无法用于γ/X射线强度绝对测量的技术问题。本发明实现了基于电流型半导体探测器的探测结构对γ/X辐射灵敏度的准确刻度及辐射场强度的绝对测量。

著录项

  • 公开/公告号CN102636804B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北核技术研究所;

    申请/专利号CN201110038486.4

  • 发明设计人 欧阳晓平;雷岚;谭新建;

    申请日2011-02-15

  • 分类号

  • 代理机构西安智邦专利商标代理有限公司;

  • 代理人王少文

  • 地址 710024 陕西省西安市69信箱9分箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:16:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-30

    授权

    授权

  • 2012-10-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01T 1/24 申请日:20110215

    实质审查的生效

  • 2012-08-15

    公开

    公开

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