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一种用于高密度阻变存储的氮化铜阻变材料的制备方法

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本发明属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种用于高密度阻变存储的氮化铜阻变材料的制备方法。首先在衬底上沉积金属层作为下电极，然后使用磁控溅射设备在金属层上生长氮化铜薄膜，靶材采用高纯铜靶或氮化铜靶；溅射过程中通入高纯氮气（亦可同时通入氩气）作为反应气体；在靶材上施加直流负高压或13.56MHz的射频电压产生辉光放电，电离出氮离子或氩离子轰击靶表面，使靶原子被溅出并在氮离子气氛下化合成铜的氮化物，在磁场诱导下沉积到基片上，形成氮化铜薄层；溅射功率范围为10~200瓦；衬底温度范围为10~200oC。本发明制备的铜的氮化物可以作为阻变层材料用于高密度阻变式随机存储器中，其制备工艺成熟稳定，阻变薄层电学均匀性好，适合于规模化工业生产。

著录项

公开/公告号CN102386326B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-10-16

原文格式PDF
申请/专利权人复旦大学;
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申请/专利号CN201110309153.0
发明设计人吴晓京;朱玮;张昕;周永宁;付小牛;
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申请日2011-10-13
分类号
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2022-08-23 09:16:33

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-09

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 45/00 授权公告日:20131016 终止日期:20171013 申请日:20111013

专利权的终止
2013-10-16

授权

授权
2013-10-16

授权

授权
2012-09-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20111013

实质审查的生效
2012-09-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20111013

实质审查的生效
2012-03-21

公开

公开
2012-03-21

公开

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