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公开/公告号CN102479745B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-12-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201010561133.8
发明设计人 庞磊;陈晓娟;陈中子;罗卫军;袁婷婷;蒲颜;刘新宇;
申请日2010-11-26
分类号
代理机构北京华沛德权律师事务所;
代理人王建国
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
入库时间 2022-08-23 09:16:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-12-04
授权
2012-07-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20101126
实质审查的生效
2012-05-30
公开
机译: 厚的氮化镓层或镓与另一种金属的混合氮化物层,以及包括这种层或光电层的电子设备
机译: 具有源场和漏场板的氮化镓晶体管及其制造方法
机译:使用激光辅助金属有机化学气相沉积法在硅衬底上快速生长m面取向的氮化镓纳米板
机译:飞秒激光-超声研究金属/氮化镓界面上的等离子体场
机译:用于压力机和板造信机的Stad焊接技术领域:一种适用于薄金属板“CD螺柱焊接系统”的螺柱焊接方法
机译:一种新的铆接工艺,尤其适用于薄金属板和箔
机译:块状氮化镓和氮化镓异质结构的高场传输研究。
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:镓弧蒸发系统氮化镓气相氮化物生长氮化镓的研究。