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用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法

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本发明制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法是涉及集成电路的制作，特别是通过等效应变记忆方法引入的应变技术，分别为互补金属氧化物半导体场效应晶体管CMOS中的NFET与PFET器件提供张应变与压应变。该发明提供的记忆方法是通过表面剪切应力在衬底表面引入应变，此应变的大小会随纵向深度不同而变化，但不随表面内横向尺寸的改变而变化，并通过侧壁正应力而保留沿沟道方向的等效应变。用本方法制作出来的晶体管在特征尺寸为几微米情况下，沟道仍具有较大应变，并能提高器件与电路的频率特性。

著录项

公开/公告号CN101969047B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-02-12

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201010251286.2
发明设计人于奇;宁宁;王向展;杜江峰;杨洪东;李竞春;
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申请日2010-08-12
分类号
代理机构成都科海专利事务有限责任公司;
代理人盛明洁
地址 610054 四川省成都市建设北路二段四号
入库时间 2022-08-23 09:17:19

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-10-14

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 授权公告日:20140212 终止日期:20140812 申请日:20100812

专利权的终止
2014-02-12

授权

授权
2011-03-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20100812

实质审查的生效
2011-02-09

公开

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