公开/公告号CN102411984B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201110218306.0
发明设计人 什里坎斯·桑皮格塔亚;巴拉斯·尤普特里;
申请日2011-08-01
分类号
代理机构北京德恒律师事务所;
代理人陆鑫
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:18:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-05-07
授权
授权
2012-05-23
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20110801
实质审查的生效
2012-04-11
公开
公开
机译: 存储设备例如用于手机的动态RAM具有与写或读开关耦合的存储单元,以便写或读开关响应于写或读控制信号来控制存储单元中读或写操作的时序
机译: 具有基于行的读和/或写支持电路的存储单元
机译: 具有基于行的读和/或写支持电路的存储单元