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一种测量直流偏压影响下的电压透过率的方法及设备

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摘要

本发明实施例提供一种测量直流偏压影响下的电压透过率的方法及设备，涉及液晶显示产品测试领域，能够去除掉TFT所受的栅极直流偏压的影响。其方案为：在待测液晶盒的栅极加载直流电压VG，源极加载直流电压VD，经过规定时间t后，测量电压透过率，得到电压透过率曲线，记为T′；将待测液晶盒打开，向栅极加载直流电压VG，经过规定时间t后，测量TFT特性值，得到TFT特性值曲线，记为A；在数据库中找到TFT特性值曲线与A在规定误差范围内的液晶盒，并得到该液晶盒的无直流偏压影响的电压透过率曲线，记为T″；得到待测液晶盒在源极加载直流电压VD，经过规定时间t后的电压透过率曲线T：T＝T′-T″。

著录项

  • 公开/公告号CN102542959B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京京东方光电科技有限公司;

    申请/专利号CN201010585431.0

  • 发明设计人 吴昊;

    申请日2010-12-07

  • 分类号G09G3/00(20060101);G01R31/00(20060101);

  • 代理机构11274 北京中博世达专利商标代理有限公司;

  • 代理人申健

  • 地址 100176 北京市经济技术开发区西环中路8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-31

    专利权的转移 IPC(主分类):G09G 3/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20141208 申请日:20101207

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-08-06

    授权

    授权

  • 2012-09-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G09G 3/00 申请日:20101207

    实质审查的生效

  • 2012-07-04

    公开

    公开

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