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用单个处理支持高性能逻辑和模拟电路的处理/设计方法

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本发明提供使用正向偏置和修改的混合信号处理的电路设计改善模拟电路的性能的方法。由多个晶体管组成的电路被定义。NMOS晶体管的主体端子被耦合到第一电压源，并且PMOS晶体管的主体端子被耦合到第二电压源。通过施加第一电压源到所选择的每个NMOS晶体管的主体端子和施加第二电压源到所选择的每个PMOS晶体管的主体端子选择性地偏置PMOS晶体管，电路中的晶体管被选择性地偏置。在一个实施方式中，第一电压源和第二电压源可修改以向晶体管的主体端子提供正向和反向偏置。

著录项

公开/公告号CN102318062B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-10-15

原文格式PDF
申请/专利权人阿尔特拉公司;
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申请/专利号CN200980138653.3
发明设计人 Q·向;A·拉特纳古玛尔;J·X·唐;W·丁;
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申请日2009-09-17
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵蓉民
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:21:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-10-15

授权

授权
2012-03-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20090917

实质审查的生效
2012-01-11

公开

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