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基于返回散射和斜测电离图联合反演电离层参数的方法

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本发明公开了一种基于返回散射和斜测电离图联合反演电离层参数的方法，包括：确定返回散射探测和斜向探测联合反演需要使用的电离层模型为准抛物模型；设定电离层模型参数的大小，利用设定的电离层参数进行计算得到仿真的返回散射电离图前沿和斜测电离图；对仿真的返回散射电离图前沿和斜测电离图添加随机误差后作为最终反演用的返回散射电离图前沿和斜测电离图；对最终反演用的返回散射电离图前沿和斜测电离图进行数据采样作为反演的输入，比较反演的结果和设定的电离层模型参数的差异，从而判断反演算法的有效性；本发明通过引入新型的电离层联合探测技术以及利用同一探测区域多种形式的探测数据作为反演算法的输入，有效提高反演精度和稳定性。

著录项

公开/公告号CN102411664B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-11-12

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第二十二研究所;
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申请/专利号CN201010288722.3
发明设计人杨东升;焦培南;柳文;程延锋;
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申请日2010-09-21
分类号G06F19/00(20110101);
代理机构工业和信息化部电子专利中心;
代理人梁军
地址 266107 山东省青岛市城阳区仙山东路36号
入库时间 2022-08-23 09:22:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-09-10

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 19/00 授权公告日:20141112 终止日期:20180921 申请日:20100921

专利权的终止
2014-11-12

授权

授权
2014-11-12

授权

授权
2012-05-23

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F19/00 申请日:20100921

实质审查的生效
2012-05-23

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 19/00 申请日:20100921

实质审查的生效
2012-04-11

公开

公开
2012-04-11

公开

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