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一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器

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摘要

本发明公开一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，该探测器由磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓型层，铟镓砷本征层，掺杂铟镓砷层和正负电极金属层构成。该探测器基于不同材料界面电场增强效应，选用组分适当的铟镓砷材料，通过有限元方法模拟计算，设计合理的天线耦合结构，通过前放电路对太赫兹信号进行放大读出，从而实现太赫兹信号的探测。具有可室温工作，探测灵敏度高，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点，可以对太赫兹波信号进行成像检测。

著录项

  • 公开/公告号CN102938422B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;

    申请/专利号CN201210405474.5

  • 发明设计人 黄志明;童劲超;黄敬国;褚君浩;

    申请日2012-10-22

  • 分类号

  • 代理机构上海新天专利代理有限公司;

  • 代理人郭英

  • 地址 200083 上海市虹口区玉田路500号

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-18

    授权

    授权

  • 2013-03-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20121022

    实质审查的生效

  • 2013-02-20

    公开

    公开

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