首页> 中国专利> 用于EUV波长范围的反射镜,用于该反射镜的基底,包括该反射镜或该基底的用于微光刻的投射物镜,及包括该投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备

用于EUV波长范围的反射镜,用于该反射镜的基底,包括该反射镜或该基底的用于微光刻的投射物镜,及包括该投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜（la；la’；lb；lb’；lc；lc’），该反射镜包含基底（S）和层布置，其中该层布置包括至少一个表面层系统（P”’），该表面层系统（P”’）由单独层的至少两个周期（P

著录项

公开/公告号CN102713690B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-05-06

原文格式PDF
申请/专利权人卡尔蔡司SMT有限责任公司;
展开▼

申请/专利号CN201080056967.1
发明设计人 S.马伦德;J.韦伯;W.克劳斯;H-J.保罗;G.布朗;S.米古拉;A.多多克;C.扎克泽克;G.范布兰肯哈根;R.勒歇尔;
展开▼

申请日2010-11-08
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人邱军
地址德国上科亨
入库时间 2022-08-23 09:25:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-05-06

授权

授权
2012-11-28

实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 5/08 申请日:20101108

实质审查的生效
2012-10-03

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 用于EUV波长范围的反射镜,用于该反射镜的基底,包括该反射镜或该基底的用于微光刻的投射物镜,及包括该投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备 [P] . 中国专利： CN102713690B . 2015.05.06
2. 用于EUV波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备 [P] . 中国专利： CN102472976B . 2014.12.10
3. Mirror for the EUV wavelength range, substrate for such a mirror, projection objective for microlithography comprising such a mirror or such a substrate, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective [P] . 美国专利： US9494718B2 . 2016-11-15

机译：用于EUV波长范围的反射镜，用于该反射镜的基板，用于包括该反射镜或基板的用于微光刻的投影物镜以及用于包括该投影物镜的用于微光刻的投影曝光设备
4. Mirror for the EUV wavelength range, projection objective for microlithography comprising such a mirror, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective [P] . 美国专利： US9036772B2 . 2015-05-19

机译：用于EUV波长范围的反射镜，包括这种反射镜的用于微光刻的投影物镜以及包括这种投影物镜的用于微光刻的投影曝光设备
5. Projection objective mirror for microlithography comprising mirror in the EUV wavelength range for a such a mirror, and projection exposure apparatus for microlithography with a projection objective mirror such [P] . 日本专利： JP2012524391A . 2012-10-11

机译：用于微光刻的投影物镜，包括用于这种反射镜的EUV波长范围内的反射镜，以及具有诸如此类的投影物镜的用于微光刻的投影曝光装置。