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基于电子动态调控的晶硅表面飞秒激光选择性烧蚀方法

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摘要

本发明涉及一种基于电子动态调控的晶硅表面飞秒激光选择性烧蚀方法，属于飞秒激光应用技术领域。本方法综合激光偏振参数与晶硅材料的晶格性质，通过有效调节飞秒激光线或者椭圆偏振与单晶硅的夹角，调控材料表面瞬时电子激发动态来控制晶硅表面周期性波纹微纳结构选择性诱导产生，能高效精确的按照预先的设计实现晶硅表面周期性波纹微纳结构的诱导产生。本发明从静态激光辐照及激光直写两方面对具有金刚石晶格结构的硅表面周期性波纹微纳结构进行选择性烧蚀控制，大大提高了其表面处理的加工精度及加工效率，在信息存储等方面具有至关重要的应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN103658993B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN201310677091.8

  • 发明设计人 姜澜;韩伟娜;李晓炜;

    申请日2013-12-11

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2022-08-23 09:25:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-06

    授权

    授权

  • 2014-04-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):B23K 26/362 申请日:20131211

    实质审查的生效

  • 2014-03-26

    公开

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