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一种等离子体刻蚀工艺中刻蚀产额的建模方法

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摘要

本发明涉及一种等离子体刻蚀工艺中刻蚀产额的建模方法，属于微电子加工过程中对刻蚀过程模拟技术领域；该方法包括：将刻蚀产额模型进行参数化表示；采用优化算法来优化得到刻蚀产额模型中的最优控制参数；在优化过程中，通过刻蚀剖面演化方法来计算每组控制参数的优劣（适应值），作为优化算法选择、生成下一步控制参数集的依据。将得到最优的模型控制参数代入到模型参数化公式中，即得到刻蚀产额的模型。本发明可避免实验中的测量仪器对模型的影响，解决测量代价高的问题；同时通用性好，利用该模型，可以实现相同工艺条件下，对不同刻蚀时间不同尺度沟槽进行模拟。

著录项

  • 公开/公告号CN103020349B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201210526667.6

  • 发明设计人 宋亦旭;杨宏军;孙晓民;贾培发;

    申请日2012-12-08

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人廖元秋

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园1号

  • 入库时间 2022-08-23 09:25:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 17/50 授权公告日:20150506 终止日期:20181208 申请日:20121208

    专利权的终止

  • 2015-05-06

    授权

    授权

  • 2015-05-06

    授权

    授权

  • 2013-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20121208

    实质审查的生效

  • 2013-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20121208

    实质审查的生效

  • 2013-04-03

    公开

    公开

  • 2013-04-03

    公开

    公开

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