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一种等离子体刻蚀工艺中刻蚀产额的建模方法

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摘要

本发明涉及一种等离子体刻蚀表面演化仿真中刻蚀产额的建模方法，属于微电子加工技术中对刻蚀表面过程模拟技术领域；该方法包括：将多种离子的刻蚀产额模型进行参数化表示；采用优化算法来得到刻蚀产额模型中的优化参数；在优化过程中，选取沟槽表面的一些特定位置，通过比较演化过程中不同时刻这些点的模拟刻蚀速率与实际刻蚀速率来计算每组模型参数的优劣（适应值），作为优化算法选择、生成下一步模型参数集的依据。将得到模型参数代入到模型参数化的公式中，即得到刻蚀产额的模型。本发明能根据刻蚀加工数据对多种离子的刻蚀产额模型参数进行优化，解决了离子轰击实验法和分子动力学方法求取刻蚀产额参数不准确的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN103440361B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201310306649.1

  • 发明设计人 宋亦旭;高扬福;孙晓民;

    申请日2013-07-19

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人廖元秋

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园1号

  • 入库时间 2022-08-23 09:36:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-09

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F17/50 授权公告日:20160224 终止日期:20180719 申请日:20130719

    专利权的终止

  • 2016-02-24

    授权

    授权

  • 2014-01-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20130719

    实质审查的生效

  • 2013-12-11

    公开

    公开

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