• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法

一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本发明属于电子器件测试领域，公开了一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法。首先测出待测半导体器件的电压-温度系数曲线，绘制其热阻微分结构函数曲线，进而求出其内部热阻Rth0。然后，测量不同压力F下半导体器件到接触材料的热阻Rth1、Rth2、…、Rthn，进行函数拟合得到Rth-F曲线，并由此求出接触材料的热阻RT。最后由R=Rth-Rth0-RT求出不同压力下半导体器件与接触材料之间的接触热阻。本发明利用压力影响接触热阻的方法，不仅解决了瞬态光热法中光相位受影响及热阻测量受半导体器件内部结构影响的问题，还可以在不损伤半导体器件的条件下准确测出压力与接触热阻的关系。

著录项

  • 公开/公告号CN103245694B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201310174157.1

  • 发明设计人 郭春生;李睿;冯士维;张燕峰;石磊;

    申请日2013-05-13

  • 分类号G01N25/20(20060101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张慧

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 25/20 授权公告日:20150722 终止日期:20180513 申请日:20130513

    专利权的终止

  • 2015-07-22

    授权

    授权

  • 2015-07-22

    授权

    授权

  • 2013-09-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N25/20 申请日:20130513

    实质审查的生效

  • 2013-09-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 25/20 申请日:20130513

    实质审查的生效

  • 2013-08-14

    公开

    公开

  • 2013-08-14

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号