首页> 中国专利> 程序可控半导体结构及其编制程序法

程序可控半导体结构及其编制程序法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种类型的集成电路陈列，包括几个程序可控单元，可以将这些程序可控单元编成四种可能的电阻抗状态。例如：第一种状态是在两个方向上电阻抗都是高的；第二种状态是在一个方向上电阻抗是高的，在相反方向上电阻抗是低的；第三种状态是在相反方向上电阻抗是高的，在第一个方向上电阻抗是低的；第四种状态是在两个方向上的电阻抗都是低的。

著录项

公开/公告号CN1006262B

专利类型发明专利
公开/公告日1989-12-27

原文格式PDF
申请/专利权人能源转换装置公司;
展开▼

申请/专利号CN85108221
发明设计人斯塔福德·R·奥夫辛斯基;罗伯特·R·约翰逊;文森特·D·肯尼拉;茨维·亚尼夫;
展开▼

申请日1985-11-12
分类号G11C13/00;H01L27/10;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利代理部;
代理人刘晖
地址美国密执安州48084特洛伊
入库时间 2022-08-23 08:54:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
1988-06-01

实质审查请求

实质审查请求
1987-05-20

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 程序可控半导体结构及其编制程序法 [P] . 中国专利： CN1006262B . 1989.12.27
2. 一种可供用户自行编制程序以实现控制功能的电暖器 [P] . 中国专利： CN101052244A . 2007-10-10
3. procedures for the preparation of a balanced satzbildes. [P] . 德国专利： DE59007515D1 . 1994-11-24

机译：平衡平衡法的编制程序。
4. METHOD FOR FORMING NANOSTRUCTURE OF UNIFORM AND CONTROLLED-SIZE SEMICONDUCTOR MATERIAL ON DIELECTRIC MATERIAL BY MEANS OF CVD METHOD [P] . 日本专利： JP2004179658A . 2004-06-24

机译：用CVD法在介电材料上形成均匀可控尺寸半导体材料纳米结构的方法
5. CONTROLLED MANUFACTURING METHOD OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR AND METAL OXIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CONTROLLED GROWTH CRYSTALLOGRAPHIC PLANE [P] . 美国专利： US2016172193A1 . 2016-06-16

机译：具有可控生长晶体平面的金属氧化物半导体的可控制制造方法及金属氧化物半导体结构