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用于减小半导体存储器装置中阵列干扰的影响的技术

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本发明揭示用于减小半导体存储器装置中阵列干扰的影响的技术。在一个特定示范性实施例中，该技术可实现为一种用于通过至少部分基于有效操作的频率而增加半导体存储器装置的刷新速率以减小半导体存储器装置中阵列干扰的影响的方法。该方法可包括接收包含第一子阵列地址的第一刷新命令以对与该第一子阵列地址相关联的存储器单元的第一逻辑子阵列执行第一刷新操作。该方法还可包括接收包含第二子阵列地址的第二刷新命令以对与该第二子阵列地址相关联的存储器单元的第二逻辑子阵列执行第二刷新操作，其中该第二刷新命令是在接收到该第一刷新命令一段时间之后接收。该方法还可包括在该时间段期间执行若干并发刷新操作。

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公开/公告号CN102656638B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-08-19

原文格式PDF
申请/专利权人美光科技公司;
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申请/专利号CN201080057104.6
发明设计人约格什·卢特拉;戴维·爱德华·菲施;
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申请日2010-12-15
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人宋献涛
地址美国爱达荷州
入库时间 2022-08-23 09:28:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-08-19

授权

授权
2013-01-02

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/401 申请日:20101215

实质审查的生效
2012-09-05

公开

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