首页> 中国专利> 等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法

等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法

摘要

本发明提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说,本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源,其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN102172104B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-08-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200980139450.6

  • 发明设计人 P·马诗威茨;

    申请日2009-08-04

  • 分类号H05H1/00(20060101);H01L21/469(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人王永建

  • 地址 美国乔治亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:28:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-14

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H05H 1/00 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20090804

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2015-08-26

    授权

    授权

  • 2015-08-26

    授权

    授权

  • 2011-10-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05H1/00 申请日:20090804

    实质审查的生效

  • 2011-10-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05H 1/00 申请日:20090804

    实质审查的生效

  • 2011-08-31

    公开

    公开

  • 2011-08-31

    公开

    公开

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