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测定污染材料贡献给高纯硅的杂质的量的方法

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摘要

测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法，包括在污染材料中部分地包埋高纯硅的样品的步骤。将包埋在污染材料中的样品在炉子内加热。测定在加热步骤之后高纯硅的杂质含量与在加热步骤之前高纯硅的杂质含量相比的变化。用于热处理高纯硅的炉子，包含限定加热室的外壳。所述外壳至少部分地由低污染物材料形成，所述低污染物材料在于退火温度下加热历时足以使高纯硅退火的时间期间内对高纯硅贡献小于400份每万亿份的杂质，且所述炉子在相同加热条件下对高纯硅贡献平均小于400份每万亿份的杂质。

著录项

公开/公告号CN103149326B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-09-09

原文格式PDF
申请/专利权人赫姆洛克半导体公司;
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申请/专利号CN201310042914.X
发明设计人 D·德彼萨;J·霍斯特;T·霍索德;A·瑞特莱维斯基;
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申请日2009-09-24
分类号G01N33/00(20060101);G01N33/38(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人任永利
地址美国密执安
入库时间 2022-08-23 09:29:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-09-10

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 33/00 授权公告日:20150909 终止日期:20180924 申请日:20090924

专利权的终止
2015-09-09

授权

授权
2015-09-09

授权

授权
2013-07-17

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N33/00 申请日:20090924

实质审查的生效
2013-07-17

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 33/00 申请日:20090924

实质审查的生效
2013-06-12

公开

公开
2013-06-12

公开

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