公开/公告号CN102315442B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-12-09
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN201110192444.6
发明设计人 山梶正树;
申请日2011-06-30
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人朱黎明
地址 日本神奈川县
入库时间 2022-08-23 09:32:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-09
授权
授权
2013-07-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01M4/525 申请日:20110630
实质审查的生效
2012-01-11
公开
公开
机译: 用于非水电解质蓄电元件的正极活性材料,非水电解质蓄电元件的正极,非水电解质蓄电元件,电力存储装置,使用非水电解质电解电力储存元件的方法及方法 制造非水电解质电力储存元件
机译: 用于非水电解质二次电池的正极活性材料,用于生产正电极活性材料的非水电解质二次电池,非水电解质二次电池的正电极,非电解电解质二次电池和电力存储装置
机译: 锂二次电池的正极活性材料的制造方法,由该材料制造的正极活性材料和使用正极活性物质的锂二次电池的正极活性材料的制造