公开/公告号CN104014633B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-02-24
原文格式PDF
申请/专利权人 美铝环形件(苏州)有限公司;
申请/专利号CN201410236008.8
申请日2014-05-30
分类号B21D28/24(20060101);G06F17/50(20060101);
代理机构44214 广州市红荔专利代理有限公司;
代理人付春霞
地址 215126 江苏省苏州市苏州工业园区出口加工区B区美铝环形件(苏州)有限公司
入库时间 2022-08-23 09:35:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-18
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):B21D28/24 变更前: 变更后: 申请日:20140530
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-02-24
授权
授权
2016-02-03
著录事项变更 IPC(主分类):B21D28/24 变更前: 变更后: 申请日:20140530
著录事项变更
2014-10-08
实质审查的生效 IPC(主分类):B21D28/24 申请日:20140530
实质审查的生效
2014-09-03
公开
公开
机译: 基于模拟方法的硅单晶长大缺陷形成及产生方法的模拟方法
机译: 像素单元,用于驱动像素单元的方法,用于确定模拟幅度调制信号的包络线的最大位置的方法,用于确定电荷量的装置,用于确定电容性元件的电荷量的装置和方法,预定电路节点以及用于设置电容器的电压的方法基于电荷的模拟/数字转换的装置,装置和方法,以及基于电荷的信号处理装置和方法
机译: 像素单元,用于驱动像素单元的方法,用于确定模拟幅度调制信号的包络线的最大值的位置的方法,用于确定电荷量的装置,用于确定像素上的电荷量的装置和方法用于将电路节点设置为预定电压的电容性元件,装置和方法,用于基于电荷的模拟/数字转换的装置和方法以及用于基于电荷的信号处理的装置和方法