• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法

一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本发明涉及一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法，包括以下步骤，步骤一，去气，对基板上的通孔或沟槽进行去气处理；步骤二，淀积第一铜阻挡层，在基板上的通孔或沟槽中淀积一层铜阻挡层；步骤三，淀积第二铜阻挡层，在上述步骤二的基础上，在所述第一铜阻挡层的表面继续淀积第二铜阻挡层，所述第一铜阻挡层的淀积速率小于所述第二铜阻挡层的淀积速率；步骤四，淀积铜晶籽层，在上述步骤三中的第二阻挡层表面淀积一层铜晶籽层。本发明一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法中，在淀积铜阻挡层的过程中分两步进行，第一铜阻挡层的淀积速率小于第二铜阻挡层的淀积速率，此种方法可以对薄膜进行有效的应力释放，避免薄膜开裂，从而提高了产品的合格率。

著录项

  • 公开/公告号CN103500728B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉新芯集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201310459902.7

  • 发明设计人 洪齐元;黄海;

    申请日2013-09-29

  • 分类号

  • 代理机构北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨立

  • 地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:35:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-02

    授权

    授权

  • 2014-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20130929

    实质审查的生效

  • 2014-01-08

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号