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半导体元器件、半导体晶片元器件、半导体元器件的制造方法、及接合结构体的制造方法

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摘要

本发明的半导体元器件(100)包括：半导体元件(101)；以及接合层(102)，该接合层(102)形成于半导体元件(101)的一个面上，由Bi为主要成分的接合材料构成，在接合层(102)的与半导体元件(101)相接的面的相反一侧的面上形成有凸部(103)。使用该半导体元器件(100)，使其与被配置成与接合层(102)彼此相对的电极(201)接合，从而能够抑制空隙的产生。

著录项

公开/公告号CN102422403B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-04-13

原文格式PDF
申请/专利权人松下知识产权经营株式会社;
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申请/专利号CN201080021256.0
发明设计人北浦秀敏;古泽彰男;酒谷茂昭;中村太一;松尾隆广;
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申请日2010-07-20
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人张鑫
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:37:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-04-13

授权

授权
2016-02-03

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/52 登记生效日:20160114 变更前: 变更后: 申请日:20100720

专利申请权、专利权的转移
2012-05-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/52 申请日:20100720

实质审查的生效
2012-04-18

公开

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