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掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法

摘要

本发明公开了一种掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法。使用等离子体辅助化学气相沉积的方法,采用SiH4、CO2和H2作为气源进行掺氧氢化非晶硅薄膜沉积以钝化晶硅表面。可使得钝化后硅片表面的复合速率降低到10cm/s以下,甚至低于1cm/s;implied?Voc超过730mV;并且相比于单纯的氢化非晶硅薄膜钝化,掺氧薄膜的钝化效果随工艺参数变化波动较为平缓,有利于大面积及连续生产中降低生产工艺的控制精度,降低成本。

著录项

  • 公开/公告号CN103590014B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南昌大学;

    申请/专利号CN201310474909.6

  • 申请日2013-10-12

  • 分类号C23C16/24(20060101);C23C16/44(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构36111 南昌洪达专利事务所;

  • 代理人刘凌峰

  • 地址 330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

  • 入库时间 2022-08-23 09:38:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-28

    专利权的转移 IPC(主分类):C23C16/24 登记生效日:20200709 变更前: 变更后: 申请日:20131012

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-04-06

    授权

    授权

  • 2014-03-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/24 申请日:20131012

    实质审查的生效

  • 2014-02-19

    公开

    公开

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