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软体卷材式铜铟镓硒－非晶硅多结薄膜太阳能电池

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摘要

本实用新型一种卷材式铜铟镓硒－非晶硅多结薄膜太阳能电池，其特征在于：它是依次在不易氧化的金属箔软体或软体塑胶薄膜的衬底上，溅射钼Mo或钛Te层作电极，然后再用多靶磁控溅射设备溅镀铜Cu、铟In、镓Ga层后，在硒H

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-11-14

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/045 授权公告日:20090819 终止日期:20110831 申请日:20080831

专利权的终止
2009-08-19

授权

授权

1. 软体卷材式铜铟镓硒－非晶硅多结薄膜太阳能电池 [P] . 中国专利： CN201294228Y . 2009.08.19
2. 软体卷材簿膜式铜铟镓硒太阳能电池 [P] . 中国专利： CN201336314Y . 2009.10.28
3. BUFFER LAYER OF COPPER-INDIUM-GALLIUM-SELENIUM THIN FILM SOLAR CELL CHIP AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND COPPER-INDIUM-GALLIUM-SELENIUM THIN FILM SOLAR CELL CHIP [P] . 世界知识产权组织专利： WO2020020217A1 . 2020-01-30

机译：铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片的缓冲层及其制备方法，以及铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片
4. Thin-film solar cell layered structure for thin-film solar cell of copper indium selenide or copper-indium-gallium-selenium type, has rear contact layer, front contact layer and photovoltaic active absorptive layer [P] . 德国专利： DE102009022342A1 . 2010-11-18

机译：用于硒化铜铟或铜铟镓硒类型的薄膜太阳能电池的薄膜太阳能电池分层结构，具有后接触层，前接触层和光伏活性吸收层
5. Solar cell substrate, thin-film solar cell, and multi-junction thin-film solar cell [P] . 美国专利： US6787692B2 . 2004-09-07

机译：太阳能电池基板，薄膜太阳能电池和多结薄膜太阳能电池