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利用替代沟道材料形成鳍式场效应晶体管装置的方法

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本发明揭露一种利用替代沟道材料形成鳍式场效应晶体管装置的方法，其中，在此揭露的一种方法包括：通过图案化硬掩膜层执行第一蚀刻工艺，以在衬底中定义多个相互隔开的沟槽，从而针对该装置定义鳍片的第一部分，在该些沟槽中形成绝缘材料层并在该绝缘材料层上执行平坦化工艺以暴露该图案化硬掩膜，执行第二蚀刻工艺，以移除该硬掩膜层并定义开口于该绝缘材料层内，在该开口内形成该鳍片的第二部分，其中，该鳍片的该第二部分由不同于该衬底的半导体材料组成，以及在该绝缘材料层上执行第三蚀刻工艺，以使该绝缘材料的上表面低于该鳍片的该第二部分的上表面。

著录项

公开/公告号CN103426772B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-04-27

原文格式PDF
申请/专利权人格罗方德半导体公司;
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申请/专利号CN201310189920.8
发明设计人 W·P·马赞拉;A·P·雅各布;N·V·里卡斯;J·A·弗伦海塞尔;K·卡瓦达;
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申请日2013-05-21
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 09:38:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-04-27

授权

授权
2013-12-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20130521

实质审查的生效
2013-12-04

公开

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