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半导体器件中的射频信号的传输结构及其形成方法

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摘要

本发明的实施例提供了一种半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，包括：提供绝缘体上硅衬底；形成位于部分所述绝缘体上硅衬底表面的导电层，所述导电层接地；形成覆盖所述绝缘体上硅衬底表面和导电层的互连金属层，所述互连金属层包括介质层和位于所述介质层内的金属层，且所述金属层位于所述导电层的正上方。本发明实施例的形成方法的工艺简单。相应的，本发明的实施例还提供了一种半导体器件中的射频信号的传输结构，采用所述传输结构传递射频信号，接收端接收到的射频信号的线性度好，信号的质量好。

著录项

  • 公开/公告号CN102427021B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201110298179.X

  • 发明设计人 刘巍;李乐;孔蔚然;

    申请日2011-09-28

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 09:38:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-04

    授权

    授权

  • 2014-04-30

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 变更前: 变更后: 登记生效日:20140408 申请日:20110928

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-12-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20110928

    实质审查的生效

  • 2012-04-25

    公开

    公开

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