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依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座

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本实用新型公开了一种依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座，包括插座主体，其中，插座主体包括底板和与被测半导体芯片接触的连接器主体，在连接器主体的中部和底板之间装配有中心接地铜块，弹簧探针包括信号传输弹簧探针和接地弹簧探针，分别插入连接器主体和中心接地铜块相应的孔腔内。中心接地铜块通过8个边角锁扣结构固定在所述插座主体上，信号传输弹簧探针中轴与所述中心接地铜块之间的距离为0.35mm±0.02mm，中心接地铜块边侧与插座主体之间留有间隙。本实用新型探针型测试插座引入了表面镀金的中心接地铜块后，使得测试插座工作过程时产生的热量能够更高效地散发出去，改善了高频性能，提高了良品率。

著录项

公开/公告号CN201937131U

专利类型实用新型
公开/公告日2011-08-17

原文格式PDF
申请/专利权人上海韬盛电子科技有限公司;
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申请/专利号CN201020596546.5
发明设计人田治峰;高凯;殷岚勇;王强;周明;闫立民;贺涛;
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申请日2010-11-08
分类号H01R13/648(20060101);G01R1/04(20060101);G01R31/28(20060101);
代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;
代理人王敏杰
地址 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路498号9幢20214室
入库时间 2022-08-21 23:21:29

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2011-08-17

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