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一种钟控异步先入先出FIFO存储器的读字线控制电路

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摘要

本实用新型涉及一种存储器，特别是一种钟控异步先入先出FIFO存储器，用于集成电路芯片中不同时钟域间的数据缓冲。包括：双端口随机静态存储器SRAM、SRAM的写字线控制单元、SRAM的读字线控制单元、标志单元，所述的读字线控制单元包含第二寄存器链D2和第二组与门A2；第二寄存器链由第五寄存器D20、第六寄存器D21、第七寄存器D22和第八寄存器D23首尾相连构成，第二组与门A2由第五与门A20、第六与门A21、第七与门A22和第八与门A23构成。

著录项

  • 公开/公告号CN202736496U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安国能科技有限公司;

    申请/专利号CN201120578511.3

  • 发明设计人 史江一;李志文;王勇;

    申请日2011-12-30

  • 分类号

  • 代理机构西安吉盛专利代理有限责任公司;

  • 代理人张培勋

  • 地址 710068 陕西省西安市高新区高新五路2号创拓大厦B326室

  • 入库时间 2022-08-21 23:42:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-02-24

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C11/4094 授权公告日:20130213 终止日期:20141230 申请日:20111230

    专利权的终止

  • 2013-02-13

    授权

    授权

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