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一种不受NMOS和PMOS阈值电压差异的影响的电阻对电容充放电电路

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摘要

一种不受NMOS和PMOS阈值电压差异的影响的电阻对电容充放电电路，它包括电容C3、电阻R5、电阻R4、充电电流镜（1）和放电电流镜（2），电容C3、电阻R5和电阻R4的一端并联接电源，充电电流镜（1）与电阻R5并联，放电电流镜（2）与电阻R4串联，所述的充电电流镜（1）和放电电流镜（2）中的控制MOS管均为NMOS管。本实用新型中，用于充电的与电流镜连接的电阻和用于放电的与电流镜连接的电阻都连接到电源，这样直接与充电用的电阻相连的电流镜和直接与放电用的电阻相连的电流镜都由NMOS管组成，从而充电用的电流镜中的电流和放电用的电流镜中的电流只与NMOS管阈值电压有关，与PMOS管阈值电压无关。

著录项

  • 公开/公告号CN202758266U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-02-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 常州博拓电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201220103695.2

  • 发明设计人 黄胜明;

    申请日2012-03-19

  • 分类号

  • 代理机构南京天华专利代理有限责任公司;

  • 代理人夏平

  • 地址 213022 江苏省常州市新北区华山中路18号3号楼503室

  • 入库时间 2022-08-21 23:42:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-13

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G05F3/26 授权公告日:20130227 终止日期:20140319 申请日:20120319

    专利权的终止

  • 2013-02-27

    授权

    授权

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