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一种采用高导热基板的宝塔形多级半导体致冷器件

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本实用新型公开了一种采用高导热基板的宝塔形多级半导体致冷器件，呈宝塔状多级结构，包括多个基板及设于基板之间的半导体电偶对和导流片，基板包括从上到下尺寸逐次递增且相互叠合的上基板、若干中间基板和下基板，本实用新型采用宝塔状多级结构，从下到上逐渐提高每级单位面积的热传递系数，可实现多级不同温差或大温差的要求，适用不同形状或特殊空间的安装要求，而且，逐级减少的半导体电偶数量和基板尺寸也相应降低了产品成本。

著录项

公开/公告号CN204361079U

专利类型实用新型
公开/公告日2015-05-27

原文格式PDF
申请/专利权人杭州大和热磁电子有限公司;
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申请/专利号CN201420829825.X
发明设计人吴永庆;阮炜;杨梅;
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申请日2014-12-24
分类号
代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司;
代理人尉伟敏
地址 310053 浙江省杭州市滨江区滨康路668号、777号
入库时间 2022-08-22 00:37:10

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2015-05-27

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