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神经元突触电路及神经元电路

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摘要

本实用新型公开了一种神经元突触电路及神经元电路，其中神经元突触电路包括：充电电路，放电电路，以及分别与所述充电电路和所述放电电路连接的MOS电容；所述充电电路和所述放电电路均由多个MOS器件构成，且接入突触前神经元产生的脉冲序列和突触后神经元产生的脉冲序列；所述充电电路被构造为在突触前神经元产生的脉冲序列比突触后神经元产生的脉冲序列先到达时，通过对所述MOS电容进行充电输出使突触权值增加的模拟电压；所述放电电路被构造为在突触前神经元产生的脉冲序列比突触后神经元产生的脉冲序列后到达时，通过对所述MOS电容进行放电输出使突触权值减小的模拟电压。本实用新型可以减少电路功耗，并提高集成度。

著录项

  • 公开/公告号CN206147705U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院深圳先进技术研究院;

    申请/专利号CN201621118750.X

  • 发明设计人 张金勇;孙宏伟;王磊;

    申请日2016-10-13

  • 分类号G06N3/06(20060101);G06N3/063(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人王天尧

  • 地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

  • 入库时间 2022-08-22 02:27:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-03

    授权

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