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公开/公告号CN206364018U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-07-28
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州能屋电子科技有限公司;
申请/专利号CN201621264822.1
发明设计人 张志利;张宝顺;蔡勇;李维毅;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮;
申请日2016-11-24
分类号
代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人王锋
地址 215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼110B室
入库时间 2022-08-22 02:47:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-28
授权
机译: 双电荷层电容器用极化电极,双电荷层电容器用极化电极的制造方法,双电荷层电容器的制造方法
机译: 使用离子注入通过灰度掩模在III型氮化物HEMT器件中二维电子气电荷密度的不均匀横向轮廓
机译: 弱极化场中质子极化增强的核磁测井
机译:基于极化的电荷密度漏极电流和纳米AlInGaN / AlN / GaN HEMT器件的小信号模型
机译:通过探测低聚噻吩晶体的弱介电张量分量来极化电荷转移跃迁的证据
机译:基于2DEG电荷密度的漏极电流模型,用于各种Al和依赖于分数迁移率的纳米级AlInGaN / AlN / GaN HEMT器件
机译:使用离轴电子全息技术量化III型氮化物HEMT器件中的极化场和薄层电荷
机译:仅具有一种类型的移动电荷的光电导体中的空间电荷分布,电容,光伏效应和持久的内部极化。
机译:通过侧链工程实现DPP-苯并三唑共聚物中的高迁移率双极性电荷传输
机译:通过电荷移动工程实现大塞贝克效应
机译:e exp + e exp - - > mu exp + mu exp中极化和电荷不对称的弱校正 - 围绕Z exp 0