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一种采用新型缓冲器的CMOS低压差线性稳压器

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摘要

本实用新型公开了一种采用新型缓冲器的CMOS低压差线性稳压器，包括依次连接的带隙基准源电路、误差放大器电路、缓冲器电路以及输出电路；带隙基准源电路，采用与绝对温度成正比的电流型带隙基准结构；误差放大器电路，采用折叠式共源共栅结构，并采用PMOS管作为输入；缓冲器电路，采用超级源极跟随器和电流镜电路；输出电路，采用功率调整管和负载级联的结构；带隙基准源电路为误差放大器电路提供稳定的电压信号，并作为CMOS低压差线性稳压器的输入级；误差放大器电路用于比较输出反馈取样信号与基准电压；缓冲器电路用于提高CMOS低压差线性稳压器的瞬态特性。本实用新型显著提高了CMOS低压差线性稳压器的瞬态性能，大大减小了其空载时的静态电流。

著录项

  • 公开/公告号CN207488871U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都市海芯微纳电子科技有限公司;成都信息工程大学;

    申请/专利号CN201721697888.4

  • 发明设计人 聂海;宋登明;付云龙;王银;

    申请日2017-12-08

  • 分类号G05F1/56(20060101);

  • 代理机构成都天汇致远知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人韩晓银

  • 地址 610093 四川省成都市高新区九兴大道10号1幢

  • 入库时间 2022-08-22 05:19:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-12

    授权

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