• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> GaN-HEMT功放管栅极漏极加电时序保护偏置电路

GaN-HEMT功放管栅极漏极加电时序保护偏置电路

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本实用新型公开了一种GaN‑HEMT功放管栅极漏极加电时序保护偏置电路，包括栅极漏极加电时序保护模块、栅极正负压转换模块、电压调节模块和电压跟随器；栅极正负压转换模块通过负压稳压芯片将输入正电压转换为负电压，并通过RC电路进行滤波；负压稳压芯片的REG管脚为栅极提供提供TTL高电平信号，REG管脚的输出信号通过NPN三极管、N沟道MOSFET和P沟道MOSFET对漏压加电进行控制；当栅极电源负压输出不正常时，REG给出高电平，P沟道MOSFET关断，漏极不上电；栅极电源负压输出正常时，REG管脚给出低电平，P沟道MOSFET导通，漏极上电。本实用新型具有技术简单，结构简洁，易于单芯片集成和占用面积小的优势；显著提高了相关应用中微波、毫米放大器件的保护能力，应用领域广泛。

著录项

  • 公开/公告号CN207529257U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京朴与诚电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201720804521.1

  • 发明设计人 陶涛;

    申请日2017-07-05

  • 分类号G05F1/56(20060101);

  • 代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人李静

  • 地址 210000 江苏省南京市栖霞区马群街道仙林大道18号

  • 入库时间 2022-08-22 05:26:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-22

    授权

    授权

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号