公开/公告号CN207621012U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-07-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中杰杰鼎实业有限公司;
申请/专利号CN201721665419.4
发明设计人 苏光喜;
申请日2017-12-04
分类号
代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人孙辉
地址 310000 浙江省杭州市余杭区杭州余杭经济技术开发区五洲路369号
入库时间 2022-08-22 05:42:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-17
授权
授权
机译: 试漏
机译: 用于手机的电压调节装置的扩展漏极p沟道金属氧化物半导体晶体管的制造方法,涉及在远离p型壳体/ n型壳体的结点的p型壳体中形成漏极接触区域。
机译: 能够将水完全填充到岩石试料内的有效孔隙中的试料干饱和的装置和方法,用以计算岩石试料的密度或孔隙率