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一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容

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本实用新型公开了一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容，属于电容领域，其技术方案要点是，包括电容主体、正极通电杆和负极通电杆，正极通电杆和负极通电杆固定安装在电容主体的下端。采用边缘加厚锌铝金属化聚丙烯薄膜制成的安规电容在直接跨接在电力线两线之间两端线路中工作，基于双面双层金属化聚丙烯薄膜叠层卷绕构成的结构为内部串联结构，从而彻底解决了国内外研发机构至今都无法解决的金属化薄膜电容在长期工作条件易出现电容量超差或丢失以及自愈后均可导致容量减小所致的容量稳定性差和因金属化膜层较薄而承载大电流能力较弱两大技术难题，有效的控制和消除金属化薄膜层间空气以及改善封装的关键工艺过程及技术。

著录项

公开/公告号CN208489116U

专利类型实用新型
公开/公告日2019-02-12

原文格式PDF
申请/专利权人长兴友畅电子有限公司;
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申请/专利号CN201820696035.7
发明设计人程金科;罗学民;
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申请日2018-05-11
分类号
代理机构北京风雅颂专利代理有限公司;
代理人陈宙
地址 313100 浙江省湖州市长兴县白岘乡工业集中区(访贤村)
入库时间 2022-08-22 08:08:23

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2019-02-12

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1. 一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容 [P] . 中国专利： CN208489116U . 2019.02.12
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