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界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置

摘要

本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置。所述界面缺陷表征结构包括:衬底;栅介质层,位于所述衬底表面;栅极层,包括位于所述栅介质层表面的第一栅极层和位于所述栅介质层沿沟道宽度方向上的相对两侧的第二栅极层,所述第一栅极层与所述第二栅极层掺杂的离子类型相反。本实用新型能够有效的表征栅介质层与栅极层接触界面的缺陷密度。

著录项

  • 公开/公告号CN208674068U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201821484626.4

  • 发明设计人 杨盛玮;韩坤;

    申请日2018-09-11

  • 分类号

  • 代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人董琳

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

  • 入库时间 2022-08-22 08:38:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-29

    授权

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