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一种光刻技术和透射电子显微技术联合表征纳米薄膜微区形变的方法

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一种光刻技术和透射电子显微技术联合表征纳米薄膜微区形变的方法属于薄膜纳米压痕表征领域。本发明公开一种光刻技术和透射电子显微技术联合表征10-100纳米薄膜微纳形变区域的方法，通过薄膜转移技术，直接将压痕后的薄膜转移到透射电子显微镜中观察，从原子尺度直接揭示纳米压痕作用过程中纳米薄膜的弹塑性转变过程中微观缺陷的形成、交互作用及演变过程，揭示微观结构与宏观力学性能直接的关系，属于薄膜纳米压痕表征方法。

著录项

公开/公告号CN103047947B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-15

原文格式PDF
申请/专利权人北京工业大学;
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申请/专利号CN201210546691.6
发明设计人张跃飞;李玉洁;臧鹏;韩晓东;张泽;
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申请日2012-12-14
分类号G01B15/06(20060101);
代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人刘萍
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-08-23 09:41:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-06-15

授权

授权
2013-05-15

实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 15/06 申请日:20121214

实质审查的生效
2013-04-17

公开

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