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一种提高抗辐照性能的多结太阳能电池

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摘要

本申请提供一种提高抗辐照性能的多结太阳能电池，所述多结太阳能电池，至少包括InGaAs子电池和GaInP子电池，其中GaInP子电池为顶电池，InGaAs子电池为中间电池，顶电池背离中间电池的一侧还设置有光导接触层，光导接触层的材质为GaInP或AlGaInP。采用光导接触层代替现有技术中的欧姆接触层，避免欧姆接触层吸收顶电池GaInP和中间电池InGaAs子电池对应的吸收光谱，因此，能够提高顶电池GaInP、特别是中间电池InGaAs子电池的吸光效率。由于InGaAs子电池的吸光效率提高，对应的其光电转换效率有所提高，中间子电池的厚度可以降低，进而提高多结太阳能电池的抗辐照性能。

著录项

  • 公开/公告号CN210073891U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-02-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 扬州乾照光电有限公司;

    申请/专利号CN201921220341.4

  • 发明设计人 吴真龙;李俊承;

    申请日2019-07-30

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人温可睿

  • 地址 225101 江苏省扬州市下圩河路8号

  • 入库时间 2022-08-22 12:35:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-14

    授权

    授权

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