首页> 中国专利> 一种低噪声系数的低噪声放大器

一种低噪声系数的低噪声放大器

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本实用新型公开的属于低噪声放大器技术领域，具体为一种低噪声系数的低噪声放大器，包括外壳，所述外壳包括底板、侧壁和盖板，所述底板上侧放置有侧壁，所述侧壁上侧通过螺钉连接有盖板，所述底板上侧边缘固定连接有卡块，所述侧壁下侧开设有卡槽，所述卡块位于卡槽中，所述底板与卡块之间开设有通孔，所述卡槽上侧开设有螺纹孔，所述底板下侧放置有螺栓，所述螺栓贯穿通孔并与螺纹孔螺接，所述外壳左右两侧分别安装有RFin接口和RFout接口，通过电容的设置，实现低功耗约束条件下的阻抗和噪声同时匹配，而且可以进一步减少晶体管感应栅噪声的影响，降低噪声系数。

著录项

公开/公告号CN212258906U

专利类型实用新型
公开/公告日2020-12-29

原文格式PDF
申请/专利权人深圳市时代速信科技有限公司;
展开▼

申请/专利号CN202021392604.2
发明设计人邢利敏;
展开▼

申请日2020-07-15
分类号H03F1/26(20060101);H03F3/45(20060101);
代理机构11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司;
代理人任娜娜
地址 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
入库时间 2022-08-22 18:53:38

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器 [P] . 中国专利： CN112543003A . 2021-03-23
2. 一种双频低噪声放大器电路、低噪声放大器及设备 [P] . 中国专利： CN112039442A . 2020-12-04
3. Low noise amplifier transistors with decreased noise figure and leakage in silicon-on-insulator technology [P] . US10944008B2 . 2021-03-09

机译：低噪声放大器晶体管，噪音与绝缘技术噪声系数降低和漏电
4. LOW NOISE AMPLIFIER TRANSISTORS WITH DECREASED NOISE FIGURE AND LEAKAGE IN SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY [P] . US2021184046A1 . 2021-06-17

机译：低噪声放大器晶体管，噪音与绝缘技术噪声系数降低和漏电
5. LOW NOISE AMPLIFIER TRANSISTORS WITH DECREASED NOISE FIGURE AND LEAKAGE IN SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY [P] . 世界知识产权组织专利： WO2017100416A1 . 2017-06-15

机译：绝缘硅技术中具有降低的噪声系数和泄漏的低噪声放大器晶体管