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晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法

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摘要

晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，属于微波铁氧体薄膜材料技术领域。本发明包括下述步骤：步骤1：基板清洗；步骤2：溅射制备AlN薄层；步骤3：溅射制备BaM薄膜；步骤4：对镀有AlN薄层的基板进行加热使其温度达到250℃‑500℃，在镀有AlN薄层的基板上继续溅射一层所需厚度的BaM薄膜。步骤5：退火。经过本发明工艺步骤制备出的BaM薄膜，晶粒c轴垂直膜面高度取向，薄膜磁晶各向异性场可达15000Oe，实现了BaM薄膜在半导体基板上的高度取向生长，而且所使用的射频磁控溅射技术能够很好的与现有的CMOS工艺兼容。

著录项

  • 公开/公告号CN103255384B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201310179098.7

  • 发明设计人 孙科;余忠;朱光伟;蒋晓娜;兰中文;许志勇;李乐中;

    申请日2013-05-15

  • 分类号

  • 代理机构成都惠迪专利事务所(普通合伙);

  • 代理人刘勋

  • 地址 610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 09:43:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-10

    授权

    授权

  • 2013-09-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20130515

    实质审查的生效

  • 2013-08-21

    公开

    公开

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