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一种基于忆阻器神经元电路的多输入逻辑门电路

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本实用新型涉及一种基于忆阻器神经元电路的多输入逻辑门电路，包括相互信号连接的突触模块以及神经元模块，所述突触模块包括多个忆阻桥突触电路，至少一个所述忆阻桥突触电路的输入端接收神经元阈值输入，其余所述忆阻桥突触电路的输入端接收输入信号；所述神经元模块包括依次连接的求和电路与比较电路，多个所述忆阻桥突触电路的输出端共同连接所述求和电路的输入端，所述求和电路的输出端连接所述比较电路的输入端。本实用新型可以实现多输入“或”逻辑和“与”逻辑，相比于前人的CMOS管神经元电路，结构较为简单，仅仅需要两个模块就可以实现神经元功能，旨在解决目前CMOS管门电路难以连续调整、集成度低、功耗高、以及掉电信息易丢失的问题。

著录项

公开/公告号CN212695978U

专利类型实用新型
公开/公告日2021-03-12

原文格式PDF
申请/专利权人湖北大学;
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申请/专利号CN202021418333.3
发明设计人叶葱;夏天;曹广森;程功;柯善武;彭泽晖;
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申请日2020-07-17
分类号H03K19/20(20060101);
代理机构42242 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人谢洋
地址 430000 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
入库时间 2022-08-22 20:06:49

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-07-01

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K19/20 专利号:ZL2020214183333 申请日:20200717 授权公告日:20210312

专利权的终止

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1. 一种基于忆阻器神经元电路的多输入逻辑门电路 [P] . 中国专利： CN212695978U . 2021-03-12
2. 一种基于忆阻器的逻辑非门电路 [P] . 中国专利： CN104124961B . 2017.01.11
3. Layout area efficient, high speed, dynamic multi-input exclusive or (XOR) and exclusive NOR (XNOR) logic gate circuit designs for integrated circuit devices [P] . 美国专利： US7298171B2 . 2007-11-20

机译：适用于集成电路器件的布局面积高效，高速，动态多输入异或（XOR）和异或（XNOR）逻辑门电路设计
4. Layout area efficient, high speed, dynamic multi-input exclusive or (XOR) and exclusive NOR (XNOR) logic gate circuit designs for integrated circuit devices [P] . 美国专利： US2007008014A1 . 2007-01-11

机译：适用于集成电路器件的布局面积高效，高速，动态多输入异或（XOR）和异或（XNOR）逻辑门电路设计
5. MULTIINPUT LOGICAL GATE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME [P] . 日本专利： JPH0685658A . 1994-03-25

机译：使用相同的多输入逻辑门电路和半导体集成电路