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一种DFN2030-6高密度框架

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本实用新型涉及芯片封装制造技术领域，特别是一种DFN2030‑6高密度框架，框架包含多个芯片安装单元，每个芯片安装单元相对的两边分别各设有三个引脚，芯片安装单元内设有一个芯片安装部，横向上相邻芯片安装部通过第一连接件对应相连通，横向上相邻芯片安装单元内同一侧引脚通过第一连接件对应相连通，纵向上所有第一连接件通过第二连接件相连通，第二连接件均设成半腐蚀结构，芯片安装部与对应引脚存在间隙，间隙两侧对应的第二连接件上沿纵向设有加强筋，加强筋沿纵向长度大于间隙的间距。本实用新型框架通过上述设计，改善了间隙和没有连接第二连接件的第一连接件之间的间隔会削弱所述框架的整体强度的问题。

著录项

公开/公告号CN212907724U

专利类型实用新型
公开/公告日2021-04-06

原文格式PDF
申请/专利权人成都先进功率半导体股份有限公司;
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申请/专利号CN202022493985.X
发明设计人李东;李博;洪伟;刘剑;
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申请日2020-11-02
分类号H01L23/495(20060101);
代理机构51221 四川力久律师事务所;
代理人范文苑
地址 611731 四川省成都市高新西区科新路8-88号
入库时间 2022-08-22 20:36:50

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